C114讯 3月15日消息（于艺婉）日前，中国移动联合芯片及设备厂商正在进行TD-LTE研究开发技术试验，而NGMN TD-LTE工作组方面也传来了最新进展，在本月初召开的一次会议上，TD-LTE三项最新进展被公诸于众。

首先，完成单用户双流BF和多用户MU-MIMO的仿真。在去年底，大唐移动向业界展示了与中国移动联手推出的双流BF技术，其应用于信号散射体比较充分的条件下，结合了智能天线技术和MIMO空间复用技术，利用了TDD信道的对称性，同时传输多个数据流实现空分复用，能够保持在传统单流下实现广覆盖，提高小区容量和减少干扰。

根据9家芯片厂商和7家系统厂商的调研反馈，完成了TDD/FDD共芯片和共基站的可行性分析，成为了TD-LTE工作组近期的第二项工作进展。截至到目前，展讯、T3G、联芯、重邮信科、海思、中兴微电子、创毅视讯、苏州简约纳以及高通公司都参加了正在进行的TD-LTE研究开发技术试验。

第三项进展仍旧是关于芯片。据悉。被调研的芯片厂家都将在未来一年提供TDD/FDD芯片，而且大多数厂家都考虑了开发LTE与EDGE、WCDMA、TD-SCDMA的多模芯片。在去年底的一次沟通中，高通公司全球市场营销和投资者关系高级副总裁比尔•戴维森表示：“高通公司预计于2010年推出的新芯片组将支持FDD LTE和TDD LTE模式。”

无论是TD-SCDMA、CDMA2000还是WCDMA都将殊途同归，LTE已经为成为确定的后向演进方向。2007年，3GPP将中国和欧洲的两个LTE不同的标准融合了起来，它既兼顾了TD-SCDMA下一步演进，更主要还是将FDD LTE帧结构也融合了起来。多模芯片势在必行。