ASML CEO傅恪礼近日正式宣布，首批采用新一代高数值孔径（High-NA）EUV光刻机制造的芯片产品将在未来数月内问世，覆盖逻辑芯片与存储芯片两大核心领域。
傅恪礼指出，High-NA EUV光刻机作为面向2nm以下先进制程的核心图形化设备，可以降低顶尖芯片的电路光刻成型成本，同时适配AI芯片、HBM/DRAM等高端存储芯片的制造需求。
他强调，尽管设备初期投入高昂，但设计初衷正是随着技术成熟与规模化应用，逐步摊薄单颗芯片的光刻成本。
这套设备的价格非常昂贵。就在数周前，ASML最大客户台积电曾公开表示，单台High-NA EUV光刻机造价高达4亿美元，约为现有EUV设备的两倍，暂不具备大规模采用的条件。
相比之下，英特尔则积极采购High-NA EUV光刻机，并已在波特兰工厂完成两台High-NA EUV光刻机的安装，累计处理超过3万片晶圆，目标是在2027至2028年实现14A制程大规模量产。
据悉，SK海力士也明确表示计划采用该新技术，预计今年首次导入，用于下一代DRAM内存的生产。
相较于传统EUV，High-NA通过提升光学系统分辨率，可实现尺寸缩小高达66%的特征，相当于相机对焦更为精准，是突破先进制程物理极限的关键技术。 
