C114通信网  |  通信人家园

资讯
2025/3/18 13:30

消息称 SK 海力士将独家供应英伟达 12 层 HBM3E 芯片

IT之家  汪淼

据台媒 digitimes 今日消息,SK 海力士预计将独家供应英伟达 Blackwell Ultra 架构芯片第五代 12 层 HBM3E,预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。

SK 海力士于去年 9 月全球率先开始量产 12 层 HBM3E 芯片,实现了最大 36GB 容量。12 层 HBM3E 的运行速度可达 9.6Gbps,在搭载四个 HBM 的 GPU 上运行‘Llama 3 70B’大语言模型时每秒可读取 35 次 700 亿个整体参数的水平。

IT之家注意到,去年 11 月,SK 集团会长崔泰源表示,英伟达 CEO 黄仁勋要求 SK 海力士提前六个月供应被称为 HBM4 的下一代高带宽内存芯片。

SK 海力士计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品,而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026 年推出。

彭博社知情人士今年 2 月透露,三星电子公司已获得批准向英伟达供应其高带宽存储芯片 8 层 HBM3E。虽然该批准标志着三星向前迈进了一步,但它在高带宽内存(HBM)技术方面仍然落后于 SK 海力士和美光科技等竞争对手。

而美光方面,美光执行副总裁兼首席财务官 Mark Murphy 今年 2 月透露,该公司的 12 层堆叠 HBM 内存产品(12Hi HBM3E)即将放量。

给作者点赞
0 VS 0
写得不太好

  免责声明:本文仅代表作者个人观点,与C114通信网无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。

热门文章
    最新视频
    为您推荐

      C114简介 | 联系我们 | 网站地图 | 手机版

      Copyright©1999-2025 c114 All Rights Reserved | 沪ICP备12002291号

      C114 通信网 版权所有 举报电话:021-54451141