C114讯 4月22日上午消息（桑菊）在今天举行联芯科技客户大会上，联芯科技总裁孙玉望透露，联芯科技将会在今年年底推出LTE样片，样片将先行支持LTE TDD制式，后期将会支持GSM/TD/LTE三模。在LTE上，也将会支持FDD制式，做到TDD和FDD的融合。
孙玉望表示，联芯科技在2007年就开始进行LTE的研发投入，去年则进一步加大了投资规模。目前联芯科技800人的队伍中，已经有超过100名工程师进行了LTE研发。“明年第一季度，联芯科技将会和合作伙伴一起推出基于TD-LTE的数据卡样机。但要推出完全商用的产品，还需要再等一段时间，联芯科技的预测是2012年。”
在谈到TDD与FDD的融合性芯片时，孙玉望指出，“单纯从技术上没有什么困难，现在对于联芯科技来讲，现在要集中精力把TD做好，但是在LTE上面又不能落后。所以这种情况下，对于一个企业来讲，人力资源、资金压力都比较大。”
在回答TD各阶段演进速度过快会不会给芯片厂商带来市场压力时，孙玉望表示：“TD发展到现在这个阶段，无论是直接演进到LTE，还是引入HSPA+和多载波技术，对与芯片厂商的影响已经不大。”
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