C114通信网  |  通信人家园

新闻
2020/2/18 15:56

纳微半导体65W 氮化镓(GaN)方案获小米10 Pro充电器采用充电技术推动小米投资纳微(Navitas)半导体

C114通信网  

小米集团和纳微(Navitas)宣布,其GaNFast充电技术已被小米采用,用于旗舰产品Mi 10 PRO智能手机。 小米董事长兼首席执行官雷军先生在2月13日的小米在线新闻发布会上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化镓(GaN),这是一种新的半导体材料,其运行速度比以前的硅(Si)电源芯片快100倍,因此仅需45分钟即可对Mi 10 PRO进行0至100%的充电。

雷军在直播发布会上表示:“GaN(氮化镓)作为一种新半导体材料,给充电器,带来了无法想象的效果。它特别小,充电效率特别高,比小米10 Pro标配的65W充电器再小了一半。” 雷军为推广氮化镓技术,鼓励消费者和米粉们关注新时代充电技术变化。

据悉,小米早前就已投资纳微(Navitas)半导体,为这次合作埋下伏笔。小米的投资策略是通过资金注入,确立产业链上下游合作,同时兼顾投资和业务的双重收益。通过此次合作,纳微(Navitas)半导体也得以拓宽销售渠道。这正是小米扶持合作企业、推动制造业升级、带动行业活力的证明,并最终发布了带有GaNFast充电技术的小米Mi 10 PRO。

纳微(Navitas)半导体首席执行官Gene SHERIDAN在会后表示:“非常高兴看到小米对新材料,新技术所持的开放态度。纳微半导体自成立以来就专注于GaN材料的技术运用和创新,所开发的GaNFast功率IC是FET,驱动器和逻辑的单片集成,可实现极小的应用尺寸和高效率。对于希望走在前端、引领技术潮流的厂商,GaNFast技术会为他们的产品注入高性能和差异化!”

纳微(Navitas)半导体中国区总经理查莹杰则表示:“目前智能手机,平板电脑和笔记本电脑的电池容量不断增加,另一方面,消费者却需要更快的充电体验,而GaNFast技术具有小尺寸、轻量和高效的优势,因而极具吸引力。GaNFast技术为业界带来小巧、高效的充电器,可以为手机和笔记本电脑等电子产品快速充电。”

小米65W GaN充电器Type-C 65W的核心器件采用的是纳微半导体的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC,它们针对高频、软开关拓扑进行了优化,通过FET、驱动器和逻辑的单片集成,创建了非常小并且非常快的易于使用的 “数字输入,电源输出” 高性能电源转化模块。使用GaNFast技术,小米65W GaN充电器只有56.3 x 30.8 x 30.8mm(53 cc),是标准适配器尺寸的一半。

给作者点赞
0 VS 0
写得不太好

  免责声明:本文仅代表作者个人观点,与C114通信网无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。

热门文章
    最新视频
    为您推荐

      C114简介 | 联系我们 | 网站地图 | 手机版

      Copyright©1999-2020 c114 All Rights Reserved | 沪ICP备12002291号

      C114 通信网 版权所有 举报电话:021-54451141