随着FTTH的快速发展，光通信对激光光源的需求越来越大。光纤通信中，一般采用InGaAsP/InP材料的半导体激光器作为通信光源。激光波长覆盖光纤低损耗窗口1.3um和1.55um。
目前，光迅主要采用脊型波导（RWG ---Ridge waveguide）和掩埋异质结（BH—buried heterojunction）两种半导体激光器结构。两种结构各有特色和优缺点。
脊型波导结构激光器，材料生长相对简单，稳定性好，制作AlGaInAs材料有优势。但是后期Ridge工艺复杂。光源光斑呈椭圆形，不利于光纤耦合。光迅公司旗下的WTD公司自成立以来，一直研究RWG工艺，积累了丰富的经验。拥有成熟的RWG工艺平台，批量生产各种FP，DFB激光器芯片。
掩埋异质结激光器，涉及到选择性区域生长，材料生长比较复杂，而且P-N-P-N型电流限制作用受限于材料生长质量，稳定性较差。一般采用InGaAsP有源层。对于易氧化的AlGaInAs材料，生长工艺更加复杂，目前仍然没有商业应用。在高速半导体激光器领域，一般采用AlGaInAs材料，所以BH结构基本上被淘汰了。但是考虑到BH结构半导体激光器光斑近似圆形，这将利于光纤耦合。同时BH结构的激光器具有Ith小，电阻小，发光效率高，抗ESD能力强等特点，仍然广泛应用于2.5G及以下光纤通信系统中。光迅公司旗下的WTD公司研究BH结构激光器十来年，先后研制出2.5G BH-FP和BH-DFB激光器产品，并形成批量生产能力。
作为光通信行业最具实力的光电器件和模块企业，WTD公司拥有从芯片制作，器件封装，模块生产的垂直整合能力。特别是芯片制作，拥有成熟的RWG和BH工艺制作平台，具有大批量生产FP激光器和DFB激光器的能力。公司超过95%以上的器件和模块产品使用自制芯片。特别是近年迅猛发展的FTTH和LTE,自制芯片的应用，大大降低了产品成本，提高了产品的市场竞争力。 
