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3月10日，集邦咨询发布报告称，目前最具发展潜力的材料是具备高功率及高频率特性的宽带隙（Wide Band Gap，WBG）半导体，包含碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），主要应用多为电动汽车、快充市场。
据集邦咨询研究测算，第三代功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，成长至2025年的47.1亿美元，年复合增长率达48%。
报告称，目前在各大衬底供应商的开发下，包括Wolfspeed、II-VI、Qromis等厂商陆续扩增产能，并将在2022年下半年量产8英寸衬底，预计第三代功率半导体未来几年产值仍有增长空间。 
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集邦：2021年至2025年第三代功率半导体年复合增长率达48%
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