C114讯 9月11日消息（岳明）近日，第27届中国国际光电博览会（CIOE）在深圳国际会展中心正式启幕，AI光互连成为本届展会核心主线。
作为一站式系统技术平台提供商，芯联集成（688469.SH）首次亮相CIOE，依托多尺寸产线布局与多材料体系并行研发，集中展示SiPh、SiGe、VCSEL、MEMS微振镜、MicroLED ASIC等平台，技术能力可完整覆盖800G、1.6T、3.2T以及下一代光互连产品，可以为合作伙伴提供从光发射、光接收，到光电融合集成的一站式晶圆制造方案。
一站式解决方案：提供最大灵活性
在笔者看来，芯联集成的核心竞争力，在于打通光、电、异质集成与全光交换的完整工艺闭环，解决行业长期存在的光电工艺割裂痛点。
光芯片层面，芯联集成平台覆盖12英寸Si/SiN光波导、Ge探测器，推进90nm/55nm/40nm多节点研发；针对不同技术路径，芯联集成光源布局VCSEL、InP激光器，同步开发MicroLED新型光源，同时支持TFLN薄膜铌酸锂调制器工艺，客户可以根据传输距离、速率需求灵活选型。
电芯片层面，依托12英寸SiGe平台，芯联集成开发跨阻放大器、激光驱动器，实现光电协同设计，在同一工艺生态完成接口匹配，减少芯片互联带来的带宽损耗，充分释放高速光模块性能。面向下一代NPO/CPO封装趋势，芯联集成基于12英寸TSV、Hybrid Bonding、TCB晶圆级堆叠工艺，把光芯片与电芯片在晶圆层面三维集成，缩短信号路径、降低功耗，为共封装光引擎提供底层制造支撑。
全光交换是今年CIOE展会的热点，针对不同的技术演进路径，芯联集成将目光锁定到产业链最为成熟的MEMS技术方向上。据芯联集成展台工作人员介绍，芯联集成8英寸MEMS OCS平台已经完成芯片全流程验证，进入小批量试制。
200亿战略投资：夯实确定性交付能力
“要站在光里，不要光站着。”这句话是这两年光互连市场的真实写照。但要能站在光里，除了产品技术与解决方案能力储备之外，更重要的一点是确定性的产能和交付能力。无论是对于光互连产业上游的光芯片、电芯片、核心器件企业，还是下游的光模块整机厂商而言，都是如此。
而这正是芯联集成的核心竞争力。据芯联集成工作人员介绍，公司拥有12英寸+8英寸+6英寸全尺寸量产产线，叠加国内领先的MEMS晶圆制造产能，配合EDA生态与FOT底层工艺平台，帮助光模块厂商缩短芯片研发周期，加速高速产品落地。
从上半年财报来看，芯联集成光互连战略投入已经兑现阶段性成果，公司上半年归母净利润2.7亿，同比大增263.40%，实现半年度扭亏；AI相关业务营收同比提升84.31%，光互连作为全新技术方向完成平台搭建。芯联集成落地总投资200亿的12英寸数模混合四期项目，重点布局55nm硅光与SiGe高速电芯片，项目土建已启动，预计2027年底投产，2028年光芯片产能逐步释放，补齐国内光电一体化代工产能短板。
“无论是数模混合高压模拟芯片，还是车规级功率器件，芯联集成从产品立项到产能爬坡再到后续的规模交付，我们都证明过自己。对于光互连市场，我们已经构建从芯片研发、晶圆制造到模块封装的完整能力链，我们有信心在光互连市场复刻过往的成功。”芯联集成相关人士表示。 
