C114讯 12月9日早间消息（南山）中国领先的光器件供应商光迅科技昨日晚间发布公告，计划面向特定对象非公开发行不超过2037万股，募集资金6.3亿元，投入到“宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目”。
该计划目前已经在董事会审议获得通过，还需取得有关审批机关的批准或核准。如果成功，将是光迅科技近两年在资本市场的第三次大动作，推进该公司在光器件领域加速走向垂直整合。
做大做强
根据市场研究机构LightCounting的分析，在服务、运营、设备、器件到芯片的整条光通信产业链上，近几年来以器件商的业绩表现最差。因此，最近2年来，全球光通信产业发生了一系列引人注目的购并案，以求增强竞争力，提升产业话语权。
在此背景下，光迅科技于2012年，并购了同为武汉邮科院旗下的有源器件供应商WTD（武汉电信器件有限公司），成为集有源无源一体的光器件供应商，销售规模跻身全球十强之列。
今年上半年，光迅科技收购丹麦Ignis Photonyx A/S 公司（IPX），获得了基于PECVD的芯片设计制造核心技术，大大增强了无源器件的芯片层实力。本次募集资金投入到光芯片和器件，目的是希望在全球光通信产业发展繁荣，以及光器件领域强者愈强的大背景下，不断做大做强，争取跻身国际顶级供应商之列。
垂直整合
全球宽带网络发展正处于繁荣时期，而且随着LTE的大规模建设，带给了光器件产业更多的发展机会。就国内而言，据估算，2013年LTE光模块市场容量为5.4亿元，用量超过180万套，并在接下来的几年中以超过20%的增长率向上攀升。
但是，在光器件领域，中国厂商的地位远不及设备与光纤光缆厂商，市场份额仅占全球25%，且主要集中在中低端芯片和器件，中高端芯片及器件大部分被国外厂商所垄断。分析指出，在光电子器件实际生产中，芯片成本占比通常在30-50%，高端光器件中芯片成本甚至在50%以上。只有掌握了核心芯片技术，才能保证自身的持续竞争力。
目前光迅科技在PLC、AWG等关键无源器件和155M~10G等中端光电子芯片上均已能实现自研自产，在10G~40G中高端光电子芯片上也已完成技术积累。随着市场竞争的更加激烈，光迅科技迫切需要芯片技术取得更高端突破并产业化。根据公告，本次募投项目目标产能为年产150.60万只10G发射器件、年产84.00万只10G接收器件、年产4.80万只25G发射器件，以及年产0.96万只40G接收器件。 
