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2019/8/12 09:17

中兴专家:5G中高频器件需要产业界提前布局

C114通信网  刘定洲

C114讯 8月12日消息(刘定洲)无线电频谱是国家宝贵的战略资源。2016年,美国率先发布5G频率规划,规划了5G高、中、低频,但在5G产业初期选择高频段部署5G,一时间吸引了不少国家效仿。

不同的频谱对器件、芯片乃至终端、基站的要求并不一致,各国的技术储备也有明显区别。业界专家阚润田认为,2017年11月,中国顶住压力,综合考虑在芯片设计、生产制造等方面的优势和差距,准确研判,在国际上率先发布5G中频段频率规划,并率先重耕5G低频段,与中频段同期展开大规模部署。

目前,3.5GHz中频段已经成为国际5G初期部署的主流频段。不过,今后毫米波仍将在5G商用中起到重要作用。在高频器件领域,设备厂商对器件厂商有哪些需求和建议?在日前举办的2019汇芯(中国)产业技术发展论坛上,中兴通讯5G规划总工张国俊介绍,5G高频专用器件包括相控芯片、变频器、毫米波放大器等,技术难度高,有较长市场周期,需要做技术的提前布局。此外,中高频共用器件如PLL/时钟、transceiver、AD/DA、光模块/光芯片、滤波器,同样具备高技术难度。

中兴通讯5G规划总工张国俊

张国俊认为,宽带低功耗AD/DA适合5G商用竞争力的器件厂家较少,而多通道集成transceiver需要包括AD/DA、射频等更多技术集成,终端类集成SOC还无法达到无线基站对大带宽和高性能的要求。业界必须结合5G商用周期,制定3~5年产品路标,对这些器件所需的工艺和IP进行研发,推出具有竞争力的商用芯片。

此外,业界传统相控阵系统技术已有积累,但应用场景有较大差异,不适合5G商用对整机小型化、低功耗、低成本的需求,需要针对5G商用做低成本、降复杂度移植。

在射频器件领域,5G毫米波也缺少高集成、低功耗、低成本芯片,厂家技术需和设备商需求进行对标,实现相控阵射频芯片的集成化和单片化。

高频突破1Gbps带宽的模数转换芯片,国内差距很大,IC企业和封测企业需要参考基站设备交付要求,提前建立产能和规模交付质量。

对于中高频所需的大功率器件,需要采用GaN工艺,国内GaN工艺在5G领域的应用研究起步较早,但技术能力和器件的批量性能,仍不足应对市场竞争。无论是器件制造商、5G衬底材料供应商,还是封装测试厂商,都需要提前做好技术储备,为GaN器件的规模量产做好准备。

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