C114讯 2月28日消息（林想）2018年全球移动通讯大会登场，应用于智能手机的AI计算、AR虚拟应用、身份识别、4K HDR影片录制以及环绕音场等创新功能成为各大国际手机厂发表新机之亮点，为能满足这些多媒体功能储存需求，今年度的智能新机之内嵌式记忆体容量全面跃升至128GB、甚至是256GB的储存容量等级。
本届展会上，各大手机厂商纷纷推出新品，如三星今年上半的旗舰产品S9/S9+、以及沉寂已久的诺基亚一口气就推出了四款新机，中兴发布BladeV9/V9Vita，LG发布了两款旗舰手机LGV30s和LGV30s+。
从各国际品牌手机厂2018年将推出的旗舰机种来看，非苹果阵营的国际智能新机之内嵌式记忆体eMMC/eMCP的储存容量规格提升至128GB，至于全球前两大智能手机厂商主攻之旗舰新机则不约而同皆搭载256GB的UFS内嵌式记忆体，除了为2018年智能新机大容量储存规格赛正式鸣枪开跑，亦同步宣告64层甚至更高层数的3D NAND Flash技术正式接棒成为快闪记忆体的主流制程。
业界认为，从闪存技术演进来看，当容量需求快速增加，甚至是倍增之时，2D的平面生产技术已不能满足终端应用之需求。就2D之NAND Flash之限缩每个储存单位、同时增加同一层储存密度的微缩技术已逐渐接近物理极限，因此导致最高容量大多停留在128Gb(16GB)之容量水准。至于3D 之NAND Flash技术，则透过垂直立体堆迭储存单元的方式，突破容量上限的瓶颈，其最高容量将可倍增至256Gb(32GB)，并可提升读写信息效能。
鉴于市场应用，再依据目前各大国际快闪记忆体制造大厂的3D NAND Flash制程演进来看，业内更看好，64层的3D NAND Flash将为今年最大的主流技术。 
