投资50亿！纵慧芯光高端光芯片基地落户常州

C114讯 8月13日消息（南山）8月11日上午，江苏纵慧芯光半导体科技股份有限公司高端光通信芯片及器件研发制造基地签约落户常州。

纵慧芯光成立于2015年，凭借全流程自主知识产权体系，已成为国内少有的同时实现砷化镓和磷化铟光芯片规模化量产的IDM企业。公司深耕光芯片核心赛道，产品矩阵全面覆盖消费电子3D传感、车规级激光雷达及AI高速光通信。本次签约项目持续投入总计约50亿元，将重点建设磷化铟高端激光芯片研发及量产产线，助推国内光通信核心芯片的国产化进程。

资料显示，纵慧芯光2018年落户常州市武进国家高新区，2025年9月10日，总投资5.5亿元的FabX项目在武进国家高新区竣工投产。

2023年，纵慧芯光VCSEL芯片累计出货量突破1亿颗大关；2025年，突破6亿颗；今年则突破了7亿颗。

磷化铟DFB/EML属于边发射激光器，是800G/1.6T高速光模块的核心，本次投资显示出纵慧芯光正在加码AI光通信赛道。

此外据了解，纵慧芯光在今年7月完成了股改，意味着该公司进入了IPO筹备阶段。资料显示，华为、小米、蚂蚁集团旗下的投资机构均投资了纵慧芯光。