2009年9月16至20日，2009年中国国际信息通信展览会（P&T/WIRELESS & NETWORKS COMM CHINA 2009）于北京中国国际展览中心（新馆）隆重举行。广晟微电子携系列自主研发芯片参展，向外界展示过去一年来潜心发展自主创新能力、全力提升芯片设计水平所取得的最新成果。
广晟微电子通过在无线移动通信射频集成电路领域的不断创新，无线移动通信射频芯片开发技术始终保持行业领先地位，2008年率先推出了TD-HSDPA射频芯片，在这次通信展上又推出了可供商用的TD-HSPA+射频芯。基于在TD-SCDMA 射频芯片研发上多年的技术积累和成功经验，广晟微电子承担了国家工信部“新一代宽带无线移动通信网重大专项”TD-LTE终端射频芯片研发课题的重要使命，已经启动了TD-LTE射频芯片的研发工作。
该芯片是一款符合3GPP TD-LTE 及国内相关规范要求；支持多频段，包括2300-2400MHz、2010-2025MHz和1880-1920MHz；支持可变速率带宽，包括5MHz, 10MHz, 15MHz和20MHz；支持64QAM、16QAM、QPSK、BPSK调制方式；下行支持MIMO 方式为2×2多天线配置；支持无线信道跨频段切换，切换时间<80us，方便组网频点选择；集成射频收发前端（除PA外）和模拟基带处理，提供数字基带接口；接收机提供大于100dB动态范围，步进精度至少1dB；发射机提供85dB动态范围，步进精度至少0.5dB；发射误差矢量幅度（EVM）小于2.5%；支持多接收时隙独立增益自动控制，满足无线资源快速调度的高水平芯片。
广晟微电子依靠多年的技术积累和不断的自主创新，研究解决了高频段(2300MHz～2400MHz）支持、数字锁相环（DLL）技术、集成ABB的架构技术、精确的可变带宽、高精度调制解调以及高速、低功耗、高动态ADC技术等多方面的难点问题，已经完成了TD-LTE射频芯片的设计，2009年12月即可将提供样片，预计2010年6月可提供商用测试芯片，2010年底该芯片即可达到商用要求。
未来，广晟微电子公司将坚定不移动地走自主创新的道路，不断开拓进取，致力于推动中国射频芯片产业化的发展，为客户及合作伙伴提供最具竞争力的射频芯片与解决方案。 
