据韩国业界消息，三星电子7月4日宣布进行大规模改组，新设一个全新的HBM（高带宽存储器）研发团队，力争在半导体领域保持领先地位。

三星负责半导体业务的DS（设备解决方案）部门当日宣布进行改组，新设HBM研发组。三星电子副社长、高性能DRAM设计专家孙永洙（音译）将担任该研发组组长，带领团队集中研发HBM3、HBM3E和新一代HBM4技术。这一举措旨在满足人工智能（AI）市场对高性能存储方案激增的需求。

据了解，2024年早些时候，三星电子已成立一个特别工作组来提升HBM竞争力，7月新设立的团队将整合并提升现有的努力。

三星电子自2015年以来，一直在存储其存储业务部门运营一个HBM开发组织。2024年2月，三星电子实现重要里程碑，开发出12层堆叠HBM3E存储芯片，该芯片拥有36GB容量。目前HBM3E 8层、12层产品已交给英伟达进行质量测试。

据业界消息，三星电子此次改组，还对先进封装（AVP）团队和设备技术实验所进行重组，以提升整体技术竞争力。

三星电子2024年5月21日宣布了一项重大人事变动，任命未来事业计划团部长（副会长）全永铉（Jun Young Hyun）为DS部门负责人，取代庆桂显（Kyung Kye-hyun）。据了解，近期，三星电子还面向HBM等新一代DRAM内存控制器开发、验证等800多个职务招聘有经验的员工。