据媒体报道，全球利基型存储IDM龙头华邦电子近日宣布，提前启动中国台湾高雄路竹厂的扩产计划，将原定分期推进的二、三期工程整并为Module B工厂同步开发。
该厂预计于2027年动工兴建无尘室，最快2029年初进入装机阶段。
此次加速扩产的直接驱动力来自代理式AI（Agentic AI）的强劲需求。机构分析指出，AI正持续推升存储容量与先进封装需求，且“相关成长趋势预期将延续相当长时间”。
目前已有客户提前洽谈2029年与2030年的产能配额，显示出市场对华邦未来产能的高度关注。
在产品与技术布局上，高雄厂Module B将涵盖Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及矽电容（Si-Cap）等多条产品线，同时支持14纳米及未来12纳米DRAM制程，后续也规划导入EUV设备。
在设备导入节奏上，华邦将依据客户需求预测（Forecast）及长期协议（LTA）分阶段推进，而非一次性满产，以有效控制资本支出，保持财务弹性。
市场表现方面，机构指出华邦电第三季利基型DRAM与SLC NAND均呈现供不应求态势，价格季涨幅估约50%；NOR Flash则受益于云端服务供应商（CSP）大客户积极备货，挤占其他应用供给，价格季涨幅估约30%。
尽管第四季存储芯片价格涨幅预计收敛至2%～5%，但受惠于DRAM产能增加及出货量成长，机构预估华邦电营收及获利仍有望维持季增走势。 
