马晓华表示，6G应用将给现有的前端芯片提出新的挑战。未来比较可行的是氮化镓器件，在高频、高效、带宽和大功率等方面综合表现突出。经过大量探索，马晓华表示硅基氮化镓材料研究在不断地提升，不仅仅在性能构架和成本上有优势，而且随着外延材料不断更新和工艺不断发展，面向未来亚毫米波300GHz以上、太赫兹应用也是一个新的增长点。
马晓华表示，6G应用将给现有的前端芯片提出新的挑战。未来比较可行的是氮化镓器件，在高频、高效、带宽和大功率等方面综合表现突出。经过大量探索，马晓华表示硅基氮化镓材料研究在不断地提升，不仅仅在性能构架和成本上有优势，而且随着外延材料不断更新和工艺不断发展，面向未来亚毫米波300GHz以上、太赫兹应用也是一个新的增长点。
西安电子科技大学马晓华教授：氮化镓材料未来在高频保持优势
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