据 BusinessKorea 报道，三星电子副董事长李在镕于 6 月中旬结束了对欧洲的商务访问，此行他与 ASML 公司就引进该荷兰半导体设备制造商的下一代极紫外（EUV）光刻设备进行了会谈。
报道称，李在镕于 6 月 14 日（当地时间）在荷兰 ASML 总部会见了 ASML 首席执行官 Peter Wennink 和首席技术官 Martin van den Brink，并就引进今年生产的 EUV 光刻设备和计划于明年推出的高数值孔径（High-NA）EUV 光刻设备达成了协议。
High-NA EUV 是下一代光刻设备，与现有的 EUV 光刻设备相比，可以雕刻出更精细的电路，其被认为是一个改变游戏规则的设备，将决定 3 纳米以下代工市场技术竞赛的赢家。
IT之家了解到，High-NA EUV 光刻设备的单价估计为 5000 亿韩元（约 25.85 亿元人民币），是现有 EUV 光刻设备的两倍。
今年早些时候，英特尔宣布已签署合同购买 5 台这种设备，用于在 2025 年生产 1.8 纳米芯片。台积电也在 6 月 16 日的美国硅谷技术研讨会上表示，它将在 2024 年在全球首次将 High-NA EUV 光刻设备引入其工艺。
在这场对下一代 EUV 光刻设备的争夺中，三星电子也寻求获得最新的 EUV 设备。李在镕的欧洲商务之旅主要是为了确保获得下一代 High-NA EUV 光刻设备，以及目前正在生产的最新一代设备。ASML 今年只能生产 50 台 EUV 设备，交货期为一年到一年零六个月。该公司有限的生产能力和较长的交货期，助长了对 High-NA EUV 光刻设备的预购竞争。
三星电子将 High-NA EUV 光刻设备实际应用于其半导体工艺的具体时间还没有确定。但考虑到交付周期，预计三星电子将在 2024 年开始实际使用 High-NA EUV 光刻设备。
一些行业观察人士呼吁韩国政府对半导体设施的投资给予更多支持。据报道，三星电子已经获得了今年计划生产的 55 台 EUV 光刻设备中的 18 台。这意味着，该公司仅在 EUV 光刻设备上的投资就将超过 4 万亿韩元（约 206.8 亿元人民币）。
“如果三星采购 10 台 High-NA EUV 光刻设备，将花费公司超过 5 万亿韩元（约 258.5 亿元人民币），”一位业内人士说，“有必要扩大政府支持，以增强韩国的国家工业竞争力”。 
