随着人工智能 (AI) 和高性能计算 (HPC) 行业的飞速发展，对内存带宽的要求也水涨船高。目前拥有9.6 GT/s数据传输速率的 HBM3E 内存刚刚实现量产，但下一代 HBM4 内存已经箭在弦上，预计在两年内与大家见面。
图源：AMD
根据 Business Korea 报道，SK 海力士公司副总裁 Chun-hwan Kim 在 SEMICON Korea 2024 大会上表示，他们正计划于 2026 年之前实现 HBM4 的量产，以满足生成式人工智能快速发展带来的巨大需求。生成式人工智能市场预计将以每年 35% 的速度增长，这将推动处理器性能的提升，进而对内存带宽提出更高的要求。
据IT之家了解，目前单颗 HBM3E 内存堆栈能够提供高达 1.2TB / s 的理论峰值带宽，如果一个内存子系统包含 6 个堆栈，总带宽则可达到惊人的 7.2 TB / s。然而，理论值与实际应用之间存在差距。例如，英伟达的 H200 显卡虽然搭载了 HBM3E 内存，但其提供的带宽“只有”4.8 TB / s，这可能是出于可靠性和功耗方面的考虑。
为了进一步提升内存带宽，HBM4 将采用 2048 位接口，理论峰值带宽可超过 1.5 TB / s。为了控制功耗，HBM4 的数据传输速率预计保持在 6 GT/s左右。不过，2048 位接口需要更复杂的布线设计，这将导致 HBM4 的成本高于 HBM3 和 HBM3E。
除了 SK 海力士，三星也在积极研发 HBM4 内存，并同样计划于 2026 年量产。值得一提的是，三星还针对特定客户开发定制化 HBM 内存解决方案。
三星内存业务执行副总裁 Jaejune Kim 表示：“HBM4 目前正在开发中，预计在 2025 年提供样品，2026 年实现量产。由于生成式人工智能的需求，定制化 HBM 内存也越来越受欢迎。我们不仅在开发标准产品，还将与关键客户讨论通过添加逻辑芯片为每个客户定制优化性能的 HBM 内存。” 
