据韩媒The Elec报道，知情人士称，三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队，以量产4F2DRAM。公司目标是将4F2DRAM存储单元应用于10纳米以下的DRAM制程，以目前的技术预计会面临线宽缩减的极限。
据报道，如果三星4F2DRAM存储单元结构研究成功，在不改变节点的情况下，与现有的6F2DRAM存储单元结构相比，芯片DIE面积可以减少30%左右，将面临线宽减小的极限。4F2结构是大约10年前DRAM产业未能商业化的单元结构技术，据说工艺难点颇多。资料显示，与8F2相比，6F2可以减少25-30%的面积。
近日，多位半导体和证券业人士透露，三星电子第二季度的DRAM芯片出货量预估环比增加约15%-20%，扭转第一季度环比下滑10%左右的颓势。SK海力士第二季度DRAM芯片环比预料增加30%-50%，高于市场共识的20%。机构表示，随着三大厂商均已开始减产，存储芯片的需求将在2023年三季度回升，摆脱供应过剩的情况。预计2023年全年，DRAM产量年增长率将只有5%。 
