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2021/10/26 11:36

新思科技推出高带宽存储内存芯片

人民邮电报社  西蒙

思科技近日宣布推出行业首个完整的HBM3(新一代高带宽存储器颗粒)IP解决方案,包括用于2.5D多裸晶芯片封装系统的控制器、PHY和验证IP。HBM3技术可满足开发者高性能计算、AI和图形应用的SoC设计对高带宽和低功耗内存的要求。

新思科技验证解决方案包括具有内置覆盖率和验证计划的IP、用于ZeBu仿真的HBM3内存模型以及HAPS(高空平台)原型验证系统,可加快从HBM3 IP到SoC的验证速度。为加速HBM3系统设计开发,新思科技3DIC Compiler多裸晶芯片设计平台提供了一个完全集成的架构探索、实施和系统级分析解决方案。

新思科技DesignWare HBM3 PHY IP采用5纳米工艺,可提供预硬化或客户可配置的PHY(物理层),每引脚的运行速度高达7200Mbps,显著提升了效率,从而实现动态频率调节。DesignWare HBM3 PHY利用优化的微凸块制备技术阵列以尽可能减少占位面积。基于其对中介层绕线长度的支持,开发者可以更加灵活地安排PHY而不会影响性能。

新思科技广泛的DesignWare IP组合包括逻辑库、嵌入式存储器、PVT传感器、嵌入式测试、模拟IP、接口IP、安全IP、嵌入式处理器以及子系统。为了加速原型设计、软件开发以及将IP核整合进芯片,新思科技“IP加速”计划提供IP核原型设计套件、IP核软件开发套件和IP核子系统。新思科技在IP质量和全面技术支持方面进行了大量投资,以协助开发者降低集成风险,缩短产品上市时间。

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