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2021/8/9 14:04

英飞凌:SiC、GaN功率元件5年内成本将逐步降低

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英飞凌大中华区电源与感测系统事业部协理陈志星日前表示,SiC、GaN等新材料产品,公司旗下已有CoolSiC、CoolGaN系列产品线走入量产,未来从目前主流的6英寸厂转到8英寸晶圆厂生产则是国际大厂看好的共同趋势。

据digitimes报道,陈志星指出,SiC、GaN相关宽能隙(WBG)功率元件价格已经出现很大的降幅,但成本仍是打开市场的关键,SiC/GaN两者之间价差不大,但与Si(硅)产品之间的落差确实存在,英飞凌则预期,在经济规模、产能投资、良率控制等推进下,成本可望有效下降,预期3~5年后有机会把成本降到跟硅基元件相仿的程度,后段制程技术也持续推进。

从英飞凌的产能规划上来看,该公司领先业界率先以12英寸晶圆厂生产硅基功率元件,SiC材料已经问世20多年,GaN则是近年来较受重视,SiC以往以2、4英寸厂生产,现今走到主流的6英寸,未来走到8英寸厂生产是相当正常的。

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