日本不仅寻求研发、制造2nm制程工艺，同时也在推进更先进的半导体制造技术。根据最新消息，日本半导体公司Rapidus、东京大学将与法国半导体研究机构Leti合作，共同开发电路线宽为1nm等级的新一代半导体设计的基础技术，此外2024年将正式开展人才交流和技术共享。Rapidus将利用Leti的技术，构建1nm芯片产品的供应体制。
双方的目标是确立设计开发线宽为1.4nm~1nm半导体所需的基础技术。这一节点需要与传统不同的晶体管结构，Leti在该领域的成膜等关键技术上占优。
据此前报道，位于日本北海道的Rapidus正在与比利时半导体开发机构IMEC、美国IBM合作，目标是2027年量产2nm制程晶圆。关于下一代1nm产品，预计将在2030年之后普及，能效、性能比2nm节点高10%~20%。Rapidus不仅与Leti合作，在1nm技术方面也考虑寻求与IBM合作。
2023年年初，Rapidus已派遣数百名工程师前往IBM学习最新2nm技术，IMEC公司近期也考虑在日本设立办事处。 
