2nm以下芯片必备！英特尔率先开始组装ASML新一代光刻机

今天芯片巨头英特尔宣布，已开始组装阿斯麦（ASML）的高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻机，并称这是其超越竞争对手的重要一步。去年12月，阿斯麦确认向英特尔交付首台高数值孔径极紫外光刻系统，这台机器的售价高达3.5亿欧元（约合27亿元人民币）。英特尔光刻主管马克菲利普斯表示：我们在决定

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韩美半导体获美光226亿韩元的HBM设备订单

近日，韩美半导体从美光科技获得价值226亿韩元（当前约1.21亿元人民币）的订单，将提供用于制造HBM芯片的TC键合机（TC Bonding）DUAL TC BONDER TIGER。消息发布后，韩美半导体的股价一度上涨11%。证券公司认为，随着半导体超级周期的回归以及AI半导体的需求也在快速增长，

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传美光DRAM、SSD将涨价25%

据中国台湾业界消息，多家存储模组厂商透露，美光打算在2024年第二季度将其DRAM、SSD（固态硬盘）产品的价格提高25%以上，价格谈判仍在进行中。消息人士表示，其它存储芯片供应商也在与客户谈判，但由于目前卖方市场上供应商的议价能力很强，有些供应商已经确定了报价。中国台湾花莲4月3日发生大地震后，美

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三星和SK海力士正在提升DRAM产量 将恢复至削减前

韩国两大内存芯片制造巨头三星电子和SK海力士顺应全球市场需求的明显复苏趋势，纷纷宣布上调第二季度DRAM晶圆生产投入，此举预示着两家公司在经历先前减产后，正稳步回归正常生产轨道。三星电子作为全球领先的半导体制造商，在二季度显著增强了其DRAM产能。根据知名市场分析机构Omdia的数据，该公司已经将其

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TrendForce：美光DRAM产能受台湾地区花莲地震影响，内存厂商纷纷停止报价

据 TrendForce 集邦咨询研报，美光在台 DRAM 内存产能遭受 4 月 3 日台湾地区花莲县海域里氏 7.3 级地震影响，致多家上游内存原厂和下游模组厂停止报价。研报表示，美光在台湾地区部署了大量产能，于新北林口和台中均设有厂区，可生产最先进的 1-beta 内存。根据IT之家以往报道，美

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官宣！SK海力士将投资近40亿美元在美建芯片封装厂

美东时间周三，韩国SK海力士公司宣布，已经与美国印第安纳州政府签署合作协议，将投资38.7亿美元在该州的西拉斐特建造一座先进的芯片封装工厂和人工智能(AI)产品研究中心。这家全球第二大存储芯片制造商表示，这将是SK海力士在美国的首家芯片工厂，计划于2028年下半年开始大规模投入生产。当天，SK海力士

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SK海力士市值突破千亿美元

据外媒彭博报道，SK海力士得益于人工智能（AI）的带动，市值在3月末突破1000亿美元，并且股价也已超过三星。这家芯片公司得益于英伟达AI芯片对高带宽存储（HBM）的需求，股价在过去一年内上涨一倍以上，同时也是韩国仅次于三星电子的第二大公司。截至发稿，SK海力士在韩国首尔证券交易所的股价为18.6万

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韩国半导体迎来曙光：2月产量增幅创下14年来最大 AI是最大推手

更多迹象表明，全球科技需求正在持续复苏。根据最新数据，韩国2月份半导体产量创下14年来最大增幅，而半导体行业正是该国最重要的工业部门。韩国统计厅周五（3月29日）公布的数据显示，半导体产量较上年同期增长65.3%，为2009年底以来的最大增幅；半导体出货量也同比增长了59%，不过低于1月份的62.7

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SK海力士回应“拟投资40亿美元在美建芯片封装厂”：尚未决定

《华尔街日报》昨日称，SK 海力士计划投资约 40 亿美元（IT之家备注：当前约 289.2 亿元人民币）在美国印第安纳州西拉斐特建造一座先进芯片封装厂，并计划于 2028 年投产。对此，SK 海力士在一份声明中表示，公司正审查其在美国投资先进芯片封装的计划，但尚未作出决定。知情人士对《华尔街日报》

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斥资900亿美元！SK海力士将打造全新半导体生产设施：2027年投运

据媒体报道，SK海力士计划在韩国京畿道中部的龙仁市投资兴建一座庞大的半导体生产园区，耗资至少120万亿韩元（约合907亿美元）。据悉，新的半导体生产园区包括四座独立的晶圆厂，将成为全球范围内规模最大的三层晶圆厂。SK海力士于2019年公布开发计划，但由于许可问题，开发被推迟。SK海力士表示，通过中央

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黄仁勋：三星是一家非常优秀的公司，英伟达正验证其 HBM 内存

本周二在美国加州圣何塞举办的媒体吹风会上，英伟达首席执行官黄仁勋表示：HBM 内存不仅生产难度高，而且成本非常高，我们在 HBM 上可谓是一掷千金。黄仁勋将 HBM 称为技术奇迹（technological miracle），相比较传统 DRAM，不仅可以提高数据中心的性能，功耗方面明显更低。在本次

https://www.c114.com.cn/news/51/a1257833.html - 转载 - 新闻 - 2024-3-20

SK海力士重组中国业务，清算上海公司并将重心转向无锡

据韩媒The Chosun Daily报道，韩国最大的半导体公司之一SK海力士正在重组其在中国的业务。该公司计划关闭成立于2006年的上海公司，将重点转移到其半导体制造工厂所在地无锡，作为其在中国的新业务中心。根据SK海力士3月17日发布的2023年审计报告，该公司自2023年第四季度起就开始清算其

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丢掉AI芯片大单三星急了：计划改用对手SK海力士的技术

据媒体报道，有多名知情人士透露，随着芯片制造竞赛的升级，三星电子计划采用竞争对手SK海力士的技术。目前市场对于HBM（高带宽存储）芯片的需求越来越大，然而与竞争对手SK海力士和美光相比，三星却失去了英伟达的大单。分析人士普遍认为，三星之所以丢掉大单，很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜（NCF）芯片工

https://www.c114.com.cn/news/51/a1257340.html - 转载 - 新闻 - 2024-3-14

传将在芯片生产中引入同行MUF技术 三星回应：没有计划

近日有消息称，随着人工智能（AI）热潮带来的需求迅速增长，半导体行业对高性能半导体的竞争加剧，三星电子计划引入同行SK海力士大规模回流模制底部填充（MR-MUF）技术。对此三星予以否认，并称三星电子没有计划在半导体芯片生产中引入大规模回流（MR）-MUF技术。尽管由于AI热潮，对高带宽内存（HBM）

https://www.c114.com.cn/news/245/a1257255.html - 转载 - 新闻 - 2024-3-13

迫于美国压力 三星、SK海力士停止向中国销售二手半导体设备

据报道，三星电子和 SK hynix 已停止向中国出售旧半导体设备。此举是对美国敦促它们遵守对华半导体出口管制的回应。

https://www.c114.com.cn/news/17/a1257251.html - 原创 - 新闻 - 2024-3-13

AI火热催生HBM需求，消息称三星电子有意引入SK海力士使用的 MUF 封装工艺

路透社表示，三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。三位直接知情人士称，三星已经发出了处理 MR-MUF 技术的设备采购订单。三星必须采取一些措施来提高其 HBM 良率采用 MUF 技术对三星来说有点像

https://www.c114.com.cn/news/51/a1257188.html - 转载 - 新闻 - 2024-3-13

传三星HBM3良率仅20%，转向韩国同行寻求芯片制造技术

根据5名海外知情人士爆料，三星电子HBM（高带宽存储）芯片的制造遇到困难，计划寻求韩国同行的帮助，使用竞争对手的芯片制造技术。尽管目前三星是全球最大的NAND和DRAM存储芯片制造商，但在HBM领域落后于竞争对手。为了紧跟人工智能（AI）热潮，制造最先进的芯片，消息称三星不得不向SK海力士求助，后者

https://www.c114.com.cn/news/51/a1257182.html - 转载 - 新闻 - 2024-3-13

LPDDR6内存标准下半年发布 有望针对AI性能进行优化

JEDEC预计在2024年第三季度最终确定下一代LPDDR6标准的规格，将为低功耗设备带来更高、更快和更高效的性能。JEDEC固态存储协会在2019年正式发布了JESD209-5标准Low Power Double Data Rate 5即LPDDR5的标准，6400MT/s的速率相比最初的LPDD

https://www.c114.com.cn/news/211/a1257179.html - 转载 - 新闻 - 2024-3-13

LPDDR6内存标准公布在即：高通骁龙8 Gen4有望首发！

据国外媒体报道，JEDEC固态技术协会在葡萄牙里斯本完成了LPDDR6标准的定稿，并计划在今年第三季度正式发布。目前最新的内存标准为LPDDR5X，其速度最高可达8533Mbps，相比于LPDDR5带宽提升30%，功耗降低20%。不仅如此，不少内存厂商还推出了私有规范的产品，比如海力士和镁光都有高达

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为应对竞争，三星计划将HBM工作组转变为常设办公室

据悉，三星计划将其高带宽内存 (HBM) 工作组转变为芯片部门下的一个常设办公室。消息人士称，三星内存业务总裁李正培 (Lee Jung-bae) 最近下令成立这样一个办公室。他们表示，如果工作组转变为这样一个办公室，该办公室将包括监督设计、解决方案和其他仅专注于开发 HBM 的团队，这有助于早期稳

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