根据5名海外知情人士爆料，三星电子HBM（高带宽存储）芯片的制造遇到困难，计划寻求韩国同行的帮助，使用竞争对手的芯片制造技术。尽管目前三星是全球最大的NAND和DRAM存储芯片制造商，但在HBM领域落后于竞争对手。
为了紧跟人工智能（AI）热潮，制造最先进的芯片，消息称三星不得不向SK海力士求助，后者当前在HBM市场处于领先地位。而三星在获取AI芯片领导者英伟达的订单方面，并没有达成可观的交易。
据行业知情人士观点，三星在HBM领域落后的原因之一是，坚持使用热压非导电薄膜（TC NCF）制造技术，这会导致一些生产问题。而SK海力士则大规模采用回流模制底部填充（MR-MUF）技术，可以克服NCF的弱点。
不过，消息人士称三星最近已发出采购订单，将采购专门处理MR-MUF的芯片制造设备。三星还与日本Nagase在内的公司进行谈判，以采购MUF材料。
几位海外分析师表示，三星HBM3芯片的生产良率约为10%~20%，而SK海力士的HBM3良率可达60%~70%。由于这类芯片需要将多片裸晶片堆叠，并使用硅通孔（TSV）技术，因此这种复杂性增加了制造过程中出现缺陷的机会，导致良率难以提升。
集微网此前报道，三星于2024年2月宣布开发出业界首款12层堆叠HBM3E 12H，容量达到36GB，带宽高达1280GB/s，可显著提高人工智能（AI）训练、推理速度。该产品采用TC NCF热压非导电薄膜制造技术，实现了当前业界最小的芯片间隙（7微米），并且使得芯片热性能得到改善，该产品计划于今年上半年量产。
随着人工智能的发展，业界对最新HBM3、HBM3E芯片的需求旺盛。知情人士称三星可能要等到2025年才可以使用MUF工艺进行大规模生产，目前三星需要进行更多测试。
三星此前曾表示，其内部开发的NCF技术是HBM产品的“最佳解决方案”，将用于制造新的HBM3E芯片。三星在一份声明中表示，“我们正按计划开展HBM3E产品业务”。
据了解，NCF制造技术已被芯片制造商广泛应用于在HBM制造中堆叠多层芯片，因为这有助于最大限度减少厚度。但是，随着层数增加，这一工艺的制造过程会变得更复杂，存在粘合方面的问题。最新的HBM3E芯片提升至12层堆叠，使得这项技术遇到困难。
SK海力士则倾向MR-MUF技术，成为首家向英伟达供应HBM3的芯片厂商。根据韩国分析机构KB Securities统计，SK海力士2024年为英伟达供应的HBM3等这类产品的市场份额预计将超过80%。
三大存储巨头中的美光，也加入HBM芯片的竞争，2024年2月宣布其最新的HBM3E将被英伟达采用，为当前最高性能的H200 AI芯片提供助力。美光的这款芯片将于第二季度开始出货，而消息称三星的HBM没有通过英伟达的验证。 
