马晓华表示，6G应用将给现有的前端芯片提出新的挑战。未来比较可行的是氮化镓器件，在高频、高效、带宽和大功率等方面综合表现突出。经过大量探索，马晓华表示硅基氮化镓材料研究在不断地提升，不仅仅在性能构架和成本上有优势，而且随着外延材料不断更新和工艺不断发展，面向未来亚毫米波300GHz以上、太赫兹应用也是一个新的增长点。

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吴林晟教授表示，未来6G技术可能会使用到毫米波和太赫兹频段，采用多层叠加的结构，带宽增加频段数量也增加，通信和感知可能会融合，对前端系统多功能化提出需求，对于射频前端系统的高集成度和可重构提出了需求。他指出，可重构的集成无源技术本身是射频系统集成化、低功耗和多功能一体化发展的核心技术，当然也面临高性能和小型化之间固有的矛盾等问题。上海交通大学已经做了初步尝试，以基于砷化镓全可重构耦合器为例，实现了功分比、相位差和中心频率的全可调节和控制，同时目前损耗偏大。相信可重构的集成无源器件未来还会有更大的发展。

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陈智教授表示，很多专家都谈到毫米波和太赫兹器件，这对系统来说非常重要。以往很多频段是器件相对比较成熟，研究系统或者算法；但是太赫兹通信发展过程中，是系统和器件同步进展。陈智透露，中国在6G推进组太赫兹任务组做了很多跟标准推进相关工作，也出了相关的白皮书研究其愿景，进行相应测试原型的评估，甚至也进行了包括器件和信道方面专项的工作。我们希望通过努力，促进面向6G以及6G以后太赫兹通信器件和系统的快速发展。

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东南大学教授陈继新围绕6G相关芯片，特别是硅基毫米波太赫兹芯片课题发表了演讲。他提到，在集成能力上面，硅基有它一定的优势，这是它可以用于6G毫米波、太赫兹研究的一个立足点。按照集成化角度发展趋势，硅基工艺有高密度集成的优点，特别是在阵列架构当中受到了比较多的重视，所以未来希望五到十年之内继续推动硅基工艺进程，让硅基特别是太赫兹频段一些系统真正能够进入到生活，成为消费电子级的产品之一。

6G是全频使用，并不完全是太赫兹频段。太赫兹频段能够产生高密度模拟电路的状态，高密度模拟电路相当于可以产生非常小的电流电压分布或等效电流电压分布，特别是多极化的电流电压分布，意味着可以产生可编程空间的波束状态，也就是为什么到了毫米波、太赫兹频段以后，很多在低频段实现不了的有趣的应用可以实现了，这些正在研究和发展之中。

主持人：

洪  伟，东南大学教授、未来移动通信论坛5G微波毫米波工作组主席

10:30-10:50
6G毫米波太赫兹技术展望
吴  柯，加拿大蒙特利尔大学教授、加拿大皇家科学院/工程院院士、IEEE MTT-S前主席

10:50-11:10
6G毫米波太赫兹封装天线
薛  泉，海外高层次专家、华南理工大学电子与信息学院院长
章秀银，国家杰青、华南理工大学电子与信息学院党委书记

11:10-11:30
6G毫米波太赫兹芯片
陈继新，东南大学首席教授
洪  伟，东南大学教授、未来移动通信论坛5G微波毫米波工作组主席

11:30-11:50
6G毫米波太赫兹GaN功率器件
马晓华，教育部长江学者特聘教授、西安电子科技大学教授

11:50-12:10
6G太赫兹技术及标准
陈  智，电子科技大学教授

12:10-12:30
面向下一代无线通信的可重构集成无源器件技术
吴林晟，上海交通大学教授

12:30-12:50
毫米波和亚太赫兹的测试挑战
Balaji Raghothaman，是德科技网络解决方案事业部首席技术专家