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2023/5/24 11:10

三星将于6月公布SF3和SF4X工艺,有望与台积电竞争

爱集微  刘昕炜

据外媒sammobile报道,三星将于6月11~16日的VLSI Symposium 2023活动上,公布其最新的3nm、4nm芯片制造工艺。这一芯片活动将在日本京都举行。

具体看,三星将公布的是第二代3nm SF3工艺、第四代4nm SF4X工艺,这两项技术对该公司十分重要,有助于其吸引更多客户,与台积电竞争。此前三星的4nm工艺效果不佳,表现逊于台积电同代工艺,其制造的Exynos 2200和骁龙8 Gen 1芯片发热较大,受到了市场许多批评。

官方表示,三星最新的SF3工艺是此前SF3E工艺的改进版本,将采用3nm GAP技术。这种工艺使用了GAA栅极全环绕晶体管(英特尔也有类似技术),三星称之为MBCFTE场效应管。

与SF4(4nm EUV LPP)工艺相比,消息称SF3工艺芯片在相同功率下,运行速度提高了22%,或者说在相同频率以及晶体管数量的条件下,效率提高了34%,此外芯片面积也缩小了21%。GAA工艺的优势便是改变纳米片通道的宽度,该技术可以明显提高晶体管密度。

此前有爆料者表示,三星未来的3nm SF3工艺将用于制造Exynos 2500以及高通骁龙8 Gen 4 for Galaxy芯片。

而三星的第四代4nm SF4X工艺,有望用于制造服务器CPU、GPU等,与第二代4nm SF4工艺相比,性能将提升10%,能效有望提升23%这一工艺将与台积电的N4P(第二代4nm)、N4X(第三代4nm)工艺节点进行竞争。

据外媒AnandTech消息,三星的SF4X工艺将是该公司近年来第一个针对高性能服务器HPC芯片的工艺节点,具有重要意义,这也代表着三星或许已经有了一些意向客户。

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