在近日的 IEDM 2022（2022 IEEE 国际电子器件会议）上，英特尔发布了多项突破性研究成果，并且还给出了最新的路线图，强调该公司正保持“迅捷步伐”，而且他们不仅要维持正轨，还要加快交付时间。
按照英特尔的术语，后纳米时代的切入点即为“埃米”，也就是十分之一纳米，他们将低于 2 纳米的工艺节点命名为 20A 和 18A，并且将以此首发 / 首批采用 ASML 的 High NA EUV 设备（可能是 18A）。
简单来说，英特尔 20 A 工艺计划在 2024 年上半年进入风险试产阶段，而 18A 工艺将在 2024 年下半年准备就绪。
此外，英特尔还确认其即将推出的 Intel4 工艺已准备好生产。
值得注意的是，公司提到节点“准备生产”的流程与他们预计流程处于风险生产状态的时间线相对应。这意味着 Intel 4 现在处于风险试产状态。
也就是说，这可能意味着下一代 Meteor Lake 不会像一些小道爆料所说的那样推迟到 2024 年，它将在 2023 年的某个时候到来。
▲ 图源英特尔，via：wccftech
该公司还透露，18A 工艺计划在 2024 年 2 月进入风险试产阶段。
此外，英特尔还确认其 20A 工艺将同时引入 RibbonFET 和 PowerVias 技术。
RibbonFET 是一种环栅或纳米晶体管结构，有望像 FinFET 一样延长摩尔定律，而 PowerVia 则是一种后端电源传输技术，两者结合的话必然会带来相当大的技术创新。
英特尔技术开发总经理 Ann B Kelleher 表示：
“摩尔定律是关于功能创新的整合，当我们展望未来 10 到 20 年的时候，会有一条充满创新的路途。”
当被问及在 20A 工艺上向 RibbonFET 和 PowerVias 技术过渡的问题，以及考虑到该公司在 10nm 工艺上的失误所带来的潜在风险时，Ann Kelleher 表示：
“这些并不需要立即完成，但我们看到了转移到 PowerVia 以启用 RibbonFET 技术的显著优势，.... 这一直非常成功，使我们能够加快我们的开发工作。”
