《电子时报》昨日报道称，台积电最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技术。
对此，台积电海外营运资深副总经理暨副共同营运长张晓强表示，仍在评估 High NA EUV 应用于未来制程节点的成本效益与可扩展性，目前采用时间未定。
▲ ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻机，图源：ASML
上个月，ASML 透露将在 2024 年内向台积电交付首台 High NA EUV 光刻机，价值达 3.8 亿美元（IT之家备注：当前约 27.6 亿元人民币）。
▲ 开放式、完全组装的 TWINSCAN EXE:5000
在此之前，ASML 已于 2023 年 12 月向英特尔开始交付全球首台 High NA EUV 光刻机 TWINSCAN EXE:5000 的首批模块，并已于今年 4 月 18 日完成组装。
ASML 表示，这台光刻机重量高达 150 吨，相当于两架空中客车 A320 客机，全套系统需要 43 个货运集装箱内的 250 个货箱来装运，一开始预计需要 250 名工程人员、历时 6 个月才能完成安装。
▲ 蔡司进行 High NA EUV 镜测试
资料显示，ASML 的第一代 High NA EUV（EXE:5000）分辨率达 8nm，可以实现比现有 EUV 光刻机小 1.7 倍物理特征的微缩，从将单次曝光的晶体管密度提高 2.9 倍，可以使芯片制造商能够简化其制造流程。据介绍，EXE:5000 每小时可印刻 185 个以上的晶圆，而且 ASML 还制定了到 2025 年提高到每小时 220 片晶圆的计划。
也就是说，ASML 第一代 High NA EUV 并不是专门用于芯片量产的机型，而是用于尖端工艺的开发和验证；其第二代 High NA EUV 光刻机才是主要面向于尖端制程量产的光刻系统。值得一提的是，英特尔此前已宣布将率先采用 ASML 第二代 High NA EUV——TWINSCAN EXE:5200B 系统。 
