据《经济日报》报道，晶圆代工厂台积电2nm制程将于2025年量产，市场看好进度可望领先对手三星及英特尔。
台积电先进制程进展顺利，3nm将在今年下半年量产，升级版3nm（N3E）制程将于3nm量产一年后量产，即2023年量产，2nm预计于2025年量产。
台积电2nm厂将落地竹科宝山二期扩建计划，“竹科管理局”已展开公共设施建设，台积电2nm厂也开始进行整地作业。
台积电2nm首次采用纳米片架构，相较N3E制程，在相同功耗下频率可提升10%至15%。在相同频率下，功耗降低25%至30%。
台积电总裁魏哲家日前在技术论坛中强调，台积电2nm将会是密度最优、效能最好的技术。市场也看好，台积电2nm进度将领先对手三星及英特尔。
IT之家了解到，此前消息称，虽然在3nm世代略有保守，但无论如何，鳍片（Fin）宽度都已经接近实际极限，再向下就会遇到瓶颈，所以外资法人预估台积电2nm先进制程将采用环绕式闸极场效电晶体GAAFET高端架构生产2nm芯片。
