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2021/8/26 15:28

三星电子宣布将尽早把3nm GAA技术商业化

集微网  

三星电子设备解决方案(DS)业务部门的首席技术官Jeong Eun seung日前在线上“三星电子技术职业论坛”上宣布,该公司将尽早将3nm GAA技术商业化。

据韩媒businesskorea报道,Jeong Eun seung表示:“我们正在开发领先于主要竞争对手台积电的GAA技术,一旦攻克这项技术,我们的晶圆代工事业将进一步发展。”

据悉,GAA技术被认为是3nm制程的关键,该工艺将被全球顶级晶圆代工公司采用。GAA技术的关键之处在于改变晶体管结构,将之由鳍式场效电晶体(FinFET)的3D转为GAA的4D。

三星电子透露,2019年在客户中进行的3nm GAA工艺设计测试结果显示,GAA技术将芯片面积减少了45%,功率效率提高了50%。

行业分析师指出,谁先将首先将GAA技术商业化,还有待进一步观察。这是因为台积电在早期也积极将该技术商业化。2011年至2020年间,全球31.4%的GAA专利来自台积电,三星电子的GAA专利占20.6%。

三星电子表示,其在技术上与台积电并驾齐驱。Jeong Eun seung指出,三星的晶圆代工事业2017年才开始,不过我们将凭借在存储芯片领域的技术根基,超越台积电。他举例三星曾在台积电之前,就开发了一款搭载FinFET技术的14MHz产品。

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