三星电子设备解决方案（DS）业务部门的首席技术官Jeong Eun seung日前在线上“三星电子技术职业论坛”上宣布，该公司将尽早将3nm GAA技术商业化。
据韩媒businesskorea报道，Jeong Eun seung表示：“我们正在开发领先于主要竞争对手台积电的GAA技术，一旦攻克这项技术，我们的晶圆代工事业将进一步发展。”
据悉，GAA技术被认为是3nm制程的关键，该工艺将被全球顶级晶圆代工公司采用。GAA技术的关键之处在于改变晶体管结构，将之由鳍式场效电晶体（FinFET）的3D转为GAA的4D。
三星电子透露，2019年在客户中进行的3nm GAA工艺设计测试结果显示，GAA技术将芯片面积减少了45%，功率效率提高了50%。
行业分析师指出，谁先将首先将GAA技术商业化，还有待进一步观察。这是因为台积电在早期也积极将该技术商业化。2011年至2020年间，全球31.4%的GAA专利来自台积电，三星电子的GAA专利占20.6%。
三星电子表示，其在技术上与台积电并驾齐驱。Jeong Eun seung指出，三星的晶圆代工事业2017年才开始，不过我们将凭借在存储芯片领域的技术根基，超越台积电。他举例三星曾在台积电之前，就开发了一款搭载FinFET技术的14MHz产品。 
