5月9日，Tower半导体宣布扩展其电源管理平台，发布其最先进的第二代65nm BCD，将操作范围扩大到24V，并将RDSON降低20%。该公司还在其180nm BCD平台上添加了深沟槽隔离，可将电压高达125V的芯片尺寸降低40%。新版本满足了对更高电压和更高功率IC不断增长的需求，进一步增强了Tower在功率器件方面的领先市场地位。
Tower的65纳米BCD平台以其在功率性能、成本和集成竞争力方面的领先优势而被称为一流的sub-90纳米BCD技术。第二代65nm BCD受益于功率性能和芯片尺寸减少多达20%，这是由于用于高达16V的器件的LDMOS RDSON减少以及电压扩展到24V运行。这些进步满足了计算和消费市场对单片大功率转换器的需求，包括用于CPU和GPU的高功率电压调节器以及充电器、大功率电机驱动器和功率转换器等应用。
该公司的180nm BCD在电压覆盖、隔离方案、功率性能、芯片尺寸和掩模数量方面是业界最宽、一流的平台。180nm BCD深沟槽隔离方案在单个IC内提供了更好的抗噪性，在升高的电压下具有灵活性，可以在多个隔离方案之间进行选择，并将芯片尺寸减少多达40%。 
