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陕西省副省长陈春江会见美光高管 双方就投资等交换意见

据美光科技微信公众号消息,近日,美光执行副总裁兼首席财务官Mark Murphy访问中国,并与美光中国区总经理兼DRAM封装与测试运营企业副总裁吴明霞(Betty Wu)偕美光西安副总裁杨伟东(Jason Yang)、美光中国政府事务负责人李新明(Jeff Li)、美光中国区兼美光西安战略管理办公室

https://www.c114.com.cn/news/16/a1257023.html - 转载 - 新闻 - 2024-3-11

美光计划部署纳米印刷技术,降低DRAM芯片生产成本

美光科技公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术,从而进一步降低生产DRAM存储芯片的单层成本。美光公司近日举办了一场演讲,介绍在将纳米印刷技术应用于DRAM生产的一些细节。美光在演讲中表示DRAM节点和沉浸式光刻分辨率问题,名为Chop的层数量不断增加,这就意味着添加更多的曝光步骤,来取出密集存储器阵列

https://www.c114.com.cn/news/17/a1256484.html - 转载 - 新闻 - 2024-3-5

美光预计2025年车均搭载16GB DRAM和204GB NAND

美光官方近日分享了车用存储大趋势白皮书。该白皮书表示,车用存储市场规模将从2021年的40亿美元提升至2025年的100亿美元,复合增长率将达28%。而到2025年车均搭载存储将达16GB DRAM和204GB NAND,分别较 2021年水平提高3倍和4倍。美光认为,汽车市场目前存在5大趋势,这些

https://www.c114.com.cn/news/51/a1254194.html - 转载 - 新闻 - 2024-2-1

三星电子在硅谷设立新实验室,负责下一代 3D DRAM 内存研发

1 月 28 日消息,三星电子称其已经在美国硅谷开设了一个新的 RD 研究实验室,专注于下一代 3D DRAM 芯片的开发。该实验室位于硅谷 Device Solutions America(DSA)运营之下,负责监督三星在美国的半导体生产,并致力于开发新一代的 DRAM 产品,以帮助三星继续引领全

https://www.c114.com.cn/news/245/a1253918.html - 转载 - 新闻 - 2024-1-28

DRAM/NAND巨头明年加码半导体投资:三星增加25%、SK海力士增加100%

根据韩媒 ETNews 报道,三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资27 万亿韩元(IT之家备注:当前约 1482.3 亿元人民币),比 2023 年投资预算增加 25%;而 SK 海力士计划投资5.3 万亿韩元(当前约 290.97 亿元人民币),比今年的投资额增

https://www.c114.com.cn/news/51/a1251513.html - 转载 - 新闻 - 2023-12-21

Galaxy S24系列有望率先装备,三星展示LLW DRAM:满足本地运行AI需求

三星公司今天发布公告,针对设备端本地运行 AI 的需求,特别研发了 LLW(Low Latency Wide IO)DRAM,其性能优于现有的 LPDDR 解决方案。LLW DRAM 通过垂直集成存储器和逻辑电路,从而实现更高的效率和延迟。三星半导体今天通过官方 X 平台账号,发布了一段关于 LLW

https://www.c114.com.cn/news/51/a1249600.html - 转载 - 新闻 - 2023-11-30

SK海力士DRAM市场占用率已达35%,为该公司有史以来最高水平

随着 HBM 内存在人工智能时代的重要性不断增加,DRAM 行业已开始逐渐朝着以质量为中心的赢家通吃的格局转变。市场研究公司 Omdia 的最新分析显示,SK 海力士今年第三季度的 DRAM 市场占有率已达 35%。Omdia 高级分析师 Jung Sung-kong 表示,由于生成式人工智能的影响

https://www.c114.com.cn/ai/5339/a1249090.html - 转载 - 2023-11-26

SK海力士DRAM市场占用率已达35%,为该公司有史以来最高水平

随着 HBM 内存在人工智能时代的重要性不断增加,DRAM 行业已开始逐渐朝着以质量为中心的赢家通吃的格局转变。Omdia 高级分析师 Jung Sung-kong 表示,由于生成式人工智能的影响,AI 服务器的比例正在增加,预计中长期内对 AI 的需求将继续增长。

https://www.c114.com.cn/news/51/a1249087.html - 转载 - 新闻 - 2023-11-26

存储市场前瞻:DDR5需求显著增长、AI崛起让手机内存迈入20GB时代

由于厂商减产的效果逐渐显现,以及特定应用市场的持续强劲需求,DRAM 和 NAND 闪存价格在 2023 年第 4 季度呈现全面上涨,并有望持续到明年第 1 季度。集邦咨询分析预估,2023 年第 4 季度移动 DRAM 合约价格预计上涨 13-18%,而 eMMC 和 UFS NAND Flash

https://www.c114.com.cn/news/51/a1248947.html - 转载 - 新闻 - 2023-11-24

HBM芯片市场前景可期,三星2023年订单同比增长一倍以上

据KED Global消息,在9月11日召开的2023年韩国投资周(KIW)半导体会议上,三星、SK海力士均表达了在人工智能的驱动下,HBM内存芯片需求将大增的观点。SK海力士营销主管发言表示,一台AI服务器需要至少500GB的HBM高带宽内存芯片和至少2TB的DDR5,人工智能是存储芯片需求的强大

https://www.c114.com.cn/news/51/a1242697.html - 转载 - 新闻 - 2023-9-12

台媒:DRAM和NAND闪存供应过剩状况改善

据电子时报报道,业内观察人士表示,DRAM和NAND闪存的过剩情况自第三季度以来已大幅改善,供应过剩率最早可能在第四季度转为负值。观察人士表示,市场供应过剩的改善是三星和美光等主要行业参与者限产的结果。芯片价格即将见底,但上涨速度仍取决于需求。观察人士称,7月份8GB DDR4(1Gbx8)芯片和8

https://www.c114.com.cn/news/51/a1239360.html - 转载 - 新闻 - 2023-8-4

AI服务器需求激增 HBM内存价格上涨

据业内消息人士透露,随着人工智能(AI)服务器需求的激增,高带宽内存(HBM)的价格开始上涨。据台媒电子时报报道,消息人士称,全球前三大存储芯片制造商目前正将更多产能转移至生产HBM。但由于调整产能需要时间,很难迅速增加HBM的产量,预计未来两年HBM供应仍将紧张。据悉,HBM市场仍由全球前三大DR

https://www.c114.com.cn/ai/5339/a1236883.html - 转载 - 2023-7-6

机构:预计三季度DRAM均价跌幅收敛至0~5%

研究机构TrendForce集邦咨询表示,受惠于DRAM供应商陆续启动减产,整体DRAM芯片供给逐季减少;加上季节性需求支撑减轻供应商库存压力,因此预计2023第三季度DRAM均价跌幅将收敛至0~5%。机构表示,目前供应商库存仍在高水位,今年DRAM均价落底回升的压力仍大。尽管供应端减产有助于跌幅收

https://www.c114.com.cn/market/39/a1236636.html - 转载 - 市场 - 2023-7-4

美光加大减产力度至30% 减产将持续至2024年

当地时间6月28日,美光公布了第三财季财报,报告显示美光实现销售收入37.5亿美元,超出了华尔街分析师36.5亿美元的平均预期值,美光预测第四季度能实现39亿美元(上下2亿美元范围内)的营收。对于未来市场的展望,美光提到,在数据长期增长和客户库存持续改善的推动下,今年下半年DRAM和NAND的行业出

https://www.c114.com.cn/news/51/a1236169.html - 转载 - 新闻 - 2023-6-30

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