三星电子 —— 三星电子株式会社
三星电子是世界上最大的电子工业公司。1938年3月它于朝鲜大邱成立,创始人是李秉喆,现任社长兼CEO是崔志成。在世界上最有名的100个商标的列表中,三星电子是唯一的一个韩国商标,是韩国民族工业的象征。
三星致力提高3nm GAA工艺良率,消息人士称,其良率提高到原来的三倍,即3nm工艺从之前10%~20%的良率提升至30%~60%之间,但仍然落后于台积电。随着台积电今年积极将3nm晶圆产量扩大到每月约10万片,三星几乎没有机会赶上其代工竞争对手。报道称,三星在其第二代3nm GAA工艺上投入了更多
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三星电子总裁兼CEO、设备解决方案部负责人Kye-Hyun Kyung表示,三星的目标是在两到三年内成为全球最大的半导体公司。Kye-Hyun Kyung还在三星年度股东大会上表示,该公司预计今年的芯片销售收入将恢复到2022年的水平。尽管三星是全球最大的存储芯片制造商,但其所有芯片的总收入目前落后
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三星于 3 月 20 日举办了年度股东大会,董事长韩钟熙发言称尽管 2024 年宏观经济环境依然存在诸多不确定因素,但已看到了通过技术创新实现增长的发展机遇。韩钟熙在会上发言表示:三星计划在智能手机、可折叠设备、配件和扩展现实(XR)在内的所有产品上部署 AI,为客户提供生成式 AI 以及本地 AI
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当地时间周四下午 15:37 分左右,三星 SDI 位于京畿道龙仁市基兴区公石洞的器兴工厂施工现场发生火灾,约 20 分钟后被扑灭。此次火灾没有造成人员伤亡,但火场附近的一些帐篷已被烧焦,消防部门目前仍在调查起火原因和损失程度,目前认为是建筑工地焊接时火溅到可燃材料上引发火灾。虽然有舆论认为此次火灾
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三星电子 DS 部门下属 Foundry 业务部负责人崔时荣在昨日举行的三星电子年度股东大会上表示将于今年下半年推出第二代 3nm 制程工艺,回击了近日的更名传闻。 ▲ 三星电子年度股东大会。图源韩媒 The Elec他表示:客户对代工厂的产品竞争力和供应稳定性要求很高,4 纳米工艺已经进入成熟良
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意法半导体(STMicroelectronics)宣布与三星联合推出 18nm FD-SOI 工艺。该工艺支持嵌入式相变存储器(ePCM)。注:FD-SOI 即全耗尽型绝缘体上硅,是一种平面半导体工艺技术,可以较简单的制造步骤实现优秀的漏电流控制。意法半导体表示,相较于其现在使用的 40nm eNV
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在三星年度股东大会上,三星总裁兼CEO、设备解决方案部负责人Kye-Hyun Kyung表示,预计今年下一批先进芯片封装产品的营收将达到1亿美元或更多。三星去年设立了先进芯片封装业务部门,Kye-Hyun Kyung表示,预计三星的投资成果将从今年下半年开始真正显现出来。Kye-Hyun Kyung
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据媒体报道,三星电子在周三举行的年度股东大会上放下豪言,表示目标是在最快2-3年内重新夺回全球芯片市场的第一位置。据悉,三星电子计划在未来几年内通过一系列的战略举措来实现这一目标。首先,三星预计公司的DS(Device Solutions)部门的销售额将在2024年恢复到2022年水平,这将为公司重
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三星电子公司成立了新的研究实验室,致力于设计通用人工智能(AGI)所需的全新半导体,AGI是人工智能发展的长期愿望。该实验室最初将专注于为大语言模型(LLM)开发芯片,重点是推理(即托管和支持AI模型)。三星电子总裁兼CEO、设备解决方案部负责人Kyung Kye-Hyun表示,其目标是发布新的芯片
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三星电子今年再次未能解决薪资谈判,预示着另一轮工会带来的罢工风险。由于三星是存储龙头厂,三星如果发生罢工,对目前存储供需市场是否造成影响,成为市场关注焦点。三星电子最大的工会三星电子全国工会于3月18日宣布成立劳资纠纷委员会,将从当天开始进行劳资斗争。3月14日,韩国国家劳动关系委员会召开第三次调解
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近年来,恶意诉讼困扰着许多大型企业,三星也不例外。针对三星的毫无根据的专利侵权诉讼近年来呈上升趋势,而这些诉讼通常来自臭名昭著的专利流氓。据悉,专利流氓惯于收购技术范围广泛的专利,并以此起诉家用电器、智能手机、半导体和电信设备等产品的制造商。由于三星是这些产品的全球领先供应商之一,自然而然地成为了这
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据金融信息提供商FnGuide数据显示,去年韩国国内股市市值排名前10位的公司营业利润合计达35.7万亿韩元(268亿美元),与2022年的合并营业利润79.22万亿韩元相比,大幅下降了54.9%。相比之下,台积电去年的营业利润也达到了295亿美元,超过了韩国股市前10名公司的利润总和。受半导体行业
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3月15日,据熟悉内情的人士透露,美国计划向三星电子公司提供60多亿美元的资金,帮助这家芯片制造商在其已宣布的得克萨斯州项目之外进行扩张。知情人士早些时候称,来自芯片法案的资金将是商务部预计在未来几周宣布的几项重大激励之一,其中包括向台积电提供逾50亿美元的资助。知情人士表示,三星将获得联邦政府的资
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根据彭博社报道,三星电子有望在美国获得超过 60 亿美元(IT之家备注:当前约 432 亿元人民币)的《CHIP》法案补贴。三星电子目前已经在美国得克萨斯州建设一座新工厂,此前规划将于今年 7 月份开始生产 4 纳米产品,不过最新消息称投产时间可能会推迟到 2025 年。三星预计在几十年内在得克萨斯
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据媒体报道,有多名知情人士透露,随着芯片制造竞赛的升级,三星电子计划采用竞争对手SK海力士的技术。目前市场对于HBM(高带宽存储)芯片的需求越来越大,然而与竞争对手SK海力士和美光相比,三星却失去了英伟达的大单。分析人士普遍认为,三星之所以丢掉大单,很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜(NCF)芯片工
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近日有消息称,随着人工智能(AI)热潮带来的需求迅速增长,半导体行业对高性能半导体的竞争加剧,三星电子计划引入同行SK海力士大规模回流模制底部填充(MR-MUF)技术。对此三星予以否认,并称三星电子没有计划在半导体芯片生产中引入大规模回流(MR)-MUF技术。尽管由于AI热潮,对高带宽内存(HBM)
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据韩政府官网消息,三星电子 DS 事业部与韩国区域供热公社签署合作谅解备忘录,将使用半导体生产废弃热水对外供暖。半导体生产中会产生废弃热水,此前三星电子一直直接排放,未能利用其能源价值。三星计划年内启动试点项目,将废弃热水作为热源,利用热泵进行区域和工业供热。长远而言,未来三星将丰富废热循环利用的热
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路透社表示,三星电子将采用竞争对手 SK 海力士主导的 MR-MUF(批量回流模制底部填充)芯片封装工艺,而非此前坚持使用的非导电薄膜(NCF)技术。三位直接知情人士称,三星已经发出了处理 MR-MUF 技术的设备采购订单。三星必须采取一些措施来提高其 HBM 良率采用 MUF 技术对三星来说有点像
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根据5名海外知情人士爆料,三星电子HBM(高带宽存储)芯片的制造遇到困难,计划寻求韩国同行的帮助,使用竞争对手的芯片制造技术。尽管目前三星是全球最大的NAND和DRAM存储芯片制造商,但在HBM领域落后于竞争对手。为了紧跟人工智能(AI)热潮,制造最先进的芯片,消息称三星不得不向SK海力士求助,后者
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由于担心违反美国对华出口管制和西方对俄罗斯的制裁,全球领先的存储芯片制造商三星等已停止销售二手芯片制造设备。三名二手芯片制造设备销售商表示,韩国公司一直将二手设备存放在仓库中,而不是放在二级市场上。一位接近一家芯片制造商的人士表示:我们担心设备可能会落入不该落入的人之手,这可能会导致我们与美国的关系
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