据报道，SK海力士今日宣布，已成功开发出176层4D NAND闪存，这是该公司第三代4D NAND产品。
SK海力士称，该产品与上一代128层产品相比，位元生产率提高了35%以上，从而增强了成本竞争力。
另外，该产品采用了新的“两段式单元区域选择技术”，单元读取速度比上一代提高了20％，数据传输速率提高了33％，并实现了每秒1.6Gb的传输速度。
据悉，SK海力士上月已送样给控制器厂商，计划明年年中开始量产。
该公司自2018年开发96层NAND Flash以来，一直致力于堆叠更多层数的技术升级。它的4D NAND结合PUC（Peri Under Cell）技术和CTF（电荷撷取）架构设计，以最大化空间效能。 
