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2019/9/3 11:27

国科微推出基于东芝XL-Flash NVMe SSD原型机

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日前,全球顶级闪存峰会(2019 Flash Memory Summit,FMS)在美国硅谷召开。作为业界领先的固态存储控制芯片及整体解决方案提供商,国科微受邀参会并展示了基于东芝XL-Flash闪存技术的超低延迟NVMe SSD原型机。FMS被公认为存储行业的国际顶级峰会,每年来自全球的优秀闪存企业汇聚于此,针对新技术、新产品进行深入的沟通与交流,在头脑风暴中碰撞出存储未来新风向。

一年前的FMS2018上,东芝重磅推出XL-Flash闪存技术,这一技术采用超低延迟的3D SLC闪存,使得读取延迟缩减至5微秒之内,相比3D TLC内存仅为后者的十分之一。同时,这一技术极大地提升了固态硬盘的速度与容量,并降低了成本。

洞察技术新潮流,把握市场先发优势,国科微率先投入基于XL-Flash的NVMe SSD原型机研发,并在FMS2019上正式亮相。国科微NVMe SSD原型机搭载其NVMe控制器2311系列,已能实现低于20微秒的4K随机读取延迟,未来将把读取延迟优化到低于15微秒。

国科微NVMe控制器2311系列具有如下主要特性:

支持Gen3×4接口,最大带宽写入1.4GB/s、读取2GB/s

支持主流TLC/QLC/XL Flash,4通道闪存接口,32个片选信号和4TB容量

硬件优化设计,4K 读延时小于15微秒

兼容ONFI 3.0/Toggle 2.0 和非同步闪存接口

自主产权、高性能LDPC w/Soft DSP ECC算法

内置国密SM2/3/4 及SHA-256/AES-256加密引擎,支持加密固件

定制化开发

支持异常掉电保护、热保护、数据自毁

在FMS2019上,东芝同时宣布,XL-Flash将于今年9月出样,明年实现量产。可以预计,随着XL-Flash的正式量产,国科微这一全新的NVMe SSD也将正式走向市场。

国科微首席运营官周士兵表示:“东芝是全球领先的闪存技术提供商,其3D XL-Flash技术代表着闪存市场的新未来,带来更为出色的使用体验。作为东芝长期的战略合作伙伴,国科微将继续深化与东芝的合作,密切跟踪闪存技术市场发展并投入到更先进的技术研发中,在为用户带来优秀固态硬盘解决方案的同时,引领固态硬盘存储市场发展。”

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