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2020/7/7 09:57

中芯国际即将登陆科创版:募资最高532亿,暂不需要EUV光刻机

C114通信网  南山

C114讯 7月7日消息(南山)7月6日,中芯国际在上海证券报一楼路演中心举行了科创板IPO网上路演,受到投资者热切关注。

据上证报消息,从获得受理起,中芯国际19天过会、29天获准注册,不断刷新科创板IPO的纪录。7月5日晚间的公告显示,中芯国际本次科创板IPO发行价27.46元/股,获29家机构合计认购242.61亿元。如超额配售选择权全额行使,中芯国际预计可募集资金总额达532亿元,将创下科创板募资金额的新纪录。

发行人的股票简称为“中芯国际”,股票代码为“688981”,该代码同时用于本次发行的初步询价及网下申购。本次发行网上申购简称为“中芯申购”,申购代码为“787981”。网上申购时间为2020年7月7日。

中芯国际董事长兼执行董事周子学在路演中表示,在逻辑工艺领域,中芯国际是中国大陆第一家实现14纳米FinFET量产的晶圆代工企业,代表中国大陆自主研发集成电路制造技术的最先进水平;在特色工艺领域,中芯国际陆续推出中国大陆最先进的24纳米NAND、40纳米高性能图像传感器等特色工艺,与各领域的龙头公司合作,实现在特殊存储器、高性能图像传感器等细分市场的持续增长。

资料显示,14纳米在2020年第一季度贡献了中芯国际的1.3%营收,产能在稳步爬坡中。

公司目前主要在研项目12个,包括先进和成熟工艺制程、特色工艺制程的现有项目升级工作和新产品研发项目。其中逻辑工艺技术平台:14纳米FinFET衍生技术平台开发、N1工艺技术研发、新一代28纳米紧凑加强型低功耗(28HKC )逻辑工艺开发和产业化、22纳米低功耗工艺平台、28纳米射频工艺平台。特色工艺技术平台:28纳米高压显示驱动工艺平台、40纳米高压显示驱动工艺平台、高性能CMOS图像传感器工艺、嵌入式闪存平台工艺(eFlash)、NOR Flash存储工艺、NAND Flash存储工艺、90纳米BCD工艺平台。

值得一提的是,周子学回应EUV光刻机采购难题时表示,关于设备采购,中芯国际依据相关商业协议进行,不对单一设备的采购情况进行评论。公司目前量产和主要在研项目暂不需用到EUV光刻机。

中芯国际本次募集资金主要投向12英寸芯片SN1项目,以及先进及成熟工艺研发项目储备资金。12英寸芯片SN1项目的载体是中芯南方,该项目规划月产能3.5万片,已建设月产能6000片,是中国第一条FinFET工艺生产线,也是中芯国际14纳米及以下先进工艺研发和量产的主要承载平台。

周子学介绍,截至2019年12月31日,中芯国际共有员工15795人,其中研发人员2530人,占比达到16.02%。研发团队是公司保持及进一步提升技术实力的坚实基础。截至2019年12月31日,登记在公司及其控股子公司名下的与生产经营相关的主要专利共8122件,其中境内专利6527件,包括发明专利5965件;境外专利1595件,此外公司还拥有集成电路布图设计94件。

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