据IC insights发布的《2020-2024年全球晶圆产能》报告提供的数据，未来几年10nm以下工艺的IC产能预计将进入快速增长期，并且到2024年，该制程的芯片将成为该行业月安装容量的最大占比。到2020年底，10nm以下的产能预计将占IC行业总晶圆产能的10%，预计到2022年将首次超过20%，并在2024年增加至全球产能的30%，如下图：
芯片的制程越来越先进，随着IC设计制造精度的提高，现代已经量产的芯片中能在晶圆上雕刻出的电路之间的间距越来越短，但带来的问题是，随着芯片工艺水平的提升，边际收益递减，让不少芯片设计人员怀疑功效的提升是否能弥补成本的上升。
10nm以下的制程设备成本已经飙升至让许多IC供应商无法承受的地步。目前只有三星、台积电和英特尔有能力承受小于10nm工艺技术的晶圆厂。
同时，设计难题（如继续缩小DRAM和NAND闪存单元的体积）以及复杂的基于逻辑的芯片（如ASIC、FPGA和其他高级逻辑设备）也面临工艺提升带来的挑战。
另外，IC insights的《2020-2024年全球晶圆产能报告》还提供了一些关键性数据：
到2020年，预计所有晶圆容量的48%将小于或等于20nm（小于10nm的占比为10.0%； 10-20nm该数字为38.4%）。此类设备包括具有等效10nm级技术的高密度DRAM和高密度3D NAND闪存，高性能微处理器，低功耗应用处理c2器以及基于16/14nm，12/10nm的高级ASIC/ ASSP/FPGA器件，或7/5nm技术。
在低于20nm的工艺中，韩国拥有66%的产能，与其他地区或国家相比，韩国的领先优势仍然明显得多。鉴于三星和SK Hynix对高密度DRAM，闪存和三星应用处理器的重视，该国拥有最先进的专用晶圆产能是顺理成章的。
因为苹果、华为和高通持续使用台积电的先进工艺服务，这就使得中国台湾小于20nm工艺的总产能超过35%。尽管如此，28nm、45/40nm和65nm世代继续为台积电和联电等代工厂创造大量业务。
中国大陆大多数小于20nm的产能由其他地区的公司把控，包括三星、SK海力士、英特尔和台积电，长江存储和中芯国际是仅有的提供小于20nm制程技术的中国大陆公司。 
